1N613和JAN1N6135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N613 JAN1N6135 1N6135

描述 600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN双向瞬态抑制器 BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS稳压二极管 T MET BI 500W 121.6V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 二极管TVS二极管

基础参数对比

引脚数 - - 2

封装 - B G-95

安装方式 - Through Hole -

额定功率 - - 500 W

击穿电压 - - 144 V

电路数 - - 1

耗散功率 - - 500 W

钳位电压 - - 228.8 V

脉冲峰值功率 - 500 W 500 W

最小反向击穿电压 - 144.4 V 144 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

最大反向电压(Vrrm) - 121.6V -

封装 - B G-95

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

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