FQA36P15和FQA36P15_F109

对比图

型号 FQA36P15 FQA36P15_F109

描述 QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-3-3 TO-3-3

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.09 Ω -

耗散功率 294 W 294W (Tc)

阈值电压 4 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

上升时间 350 ns -

输入电容(Ciss) 2550pF @25V(Vds) 3320pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 294 W -

下降时间 150 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 294000 mW 294W (Tc)

极性 - -

连续漏极电流(Ids) - -

长度 15.8 mm -

宽度 5 mm -

高度 18.9 mm -

封装 TO-3-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Rail, Tube -

RoHS标准

含铅标准 Lead Free 无铅