对比图
型号 ZVN4206A ZVP2120ASTZ 2N6660
描述 ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92Trans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3Pin E-Line T/R晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-39-3
通道数 - - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 1.5 Ω 25.0 Ω 3 Ω
耗散功率 700 mW 700 mW 6.25 W
阈值电压 3 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 200 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V - 60 V
输入电容(Ciss) 100pF @25V(Vds) 100pF @25V(Vds) 50pF @24V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 700mW (Ta) 6.25W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V -200 V -
额定电流 600 mA -120 mA -
极性 N-Channel P-Channel -
输入电容 100 pF 100 pF -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 600 mA 120 mA -
上升时间 12.0 ns 15 ns -
额定功率(Max) 700 mW 700 mW -
下降时间 - 15 ns -
额定功率 0.7 W - -
封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-39-3
长度 - 4.77 mm -
宽度 - 2.41 mm -
高度 - 4.01 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -