BZV55C6V8和BZV55-C6V8,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55C6V8 BZV55-C6V8,135 TZMC6V8GS08

描述 500mW,BZV55 系列,NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,NXP SemiconductorsMini-MELF 6.8V 0.5W(1/2W)Diode Zener Single 6.8V 5% 0.5W(1/2W) Automotive 2Pin Mini-MELF SOD-80 T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 - Mini-MELF DO-213AA

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 0.5 W -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 6.8 V 6.8 V 6.8 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

额定功率 - - 0.5 W

击穿电压 - - 6.80 V

耗散功率(Max) 500 mW - -

宽度 1.6 mm 1.6 mm -

封装 - Mini-MELF DO-213AA

长度 3.7 mm - -

高度 1.6 mm - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 3 mV/℃ 3 MV/K -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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