BF1211和BF1211R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1211 BF1211R

描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETsN沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-143 SC-61B

额定电压(DC) 6.00 V 6.00 V

额定电流 30.0 mA 30.0 mA

漏源极电压(Vds) 6.00 V 6.00 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA 30.0 mA

耗散功率 - 180 mW

漏源击穿电压 - 6 V

上升时间 - 15 ns

下降时间 - 27 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

耗散功率(Max) - 180 mW

封装 SOT-143 SC-61B

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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