IRFL210PBF和IRFM220B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL210PBF IRFM220B IRFL210TRPBF

描述 MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

引脚数 - - 4

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 1.13A -

耗散功率 2W (Ta), 3.1W (Tc) - 3.1 W

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) - 140pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) - 2W (Ta), 3.1W (Tc)

漏源极电阻 - - 1.5 Ω

阈值电压 - - 4 V

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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