对比图
型号 IXFK64N50P IXFK90N20Q STP16NF25
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK64N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 VTO-264AA N-CH 200V 90AN沟道250V - 0.195ヘ - 13A - DPAK / TO- 220 / TO- 220FP低栅极电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 250V - 0.195ヘ - 13A - DPAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET⑩ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 200 V -
额定电流 64.0 A 90.0 A -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.085 Ω 22.0 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 830 W 500 W 90 W
阈值电压 5.5 V - -
输入电容 8.70 nF - -
栅电荷 150 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 200 V 250 V
漏源击穿电压 500 V - -
连续漏极电流(Ids) 64.0 A 90.0 A 6.50 A
输入电容(Ciss) 8700pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 680pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 830 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 500W (Tc) 100W (Tc)
上升时间 - 31 ns 17 ns
下降时间 - 12 ns 17 ns
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC