CY7C1425AV18-200BZC和CY7C1425AV18-200BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1425AV18-200BZC CY7C1425AV18-200BZXC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

位数 9 -

存取时间(Max) 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

电源电压(DC) - 1.80 V, 1.90 V (max)

时钟频率 - 200MHz (max)

存取时间 - 200 µs

内存容量 - 36000000 B

封装 FBGA-165 FBGA-165

高度 - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tray, Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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