70V3579S5BF和IDT70V3579S5DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3579S5BF IDT70V3579S5DRI 70V3579S5BCGI

描述 Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, FBGA-208高速3.3V 32K ×36同步流水式双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 208 - 256

封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256

长度 15.0 mm - 17 mm

宽度 15.0 mm - 17 mm

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

高度 - - 1.4 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tray -

ECCN代码 - 3A991 -

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

存取时间 - - 5 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

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