V20120SGHM3/4W和V20120SG-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V20120SGHM3/4W V20120SG-E3/4W V20120SG-M3/4W

描述 肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-V20PW12HM3/I高压Trench MOS势垒肖特基整流器 High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky RectifierDiode Schottky 120V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 1.33V @20A 1.33V @20A 1.33V @20A

正向电流 - 20 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 150 A -

正向电压(Max) - 1.33V @20A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 8.89 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ 40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

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