IRF3205和STP60NF06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3205 STP60NF06L STP140NF55

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin (3+Tab) TO-220ABN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsMOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 N沟道MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 55.0 V

额定电流 110 A 60.0 A 80.0 A

漏源极电阻 8.00 mΩ 0.014 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 110 W 300 W

产品系列 IRF3205 - -

输入电容 3.25 nF - -

栅电荷 146 nC - -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±15.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 110 A 60.0 A 80.0 A

上升时间 101 ns 220 ns 150 ns

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 1 V 3 V

输入电容(Ciss) - 2000pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W 300 W

下降时间 - 30 ns 45 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 300W (Tc)

通道数 - - 1

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.15 mm 15.75 mm

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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