对比图
型号 PBSS5160U PBSS5160U,115
描述 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，NexperiaNexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 UMT SOT-323-3
额定功率 - 0.415 W
针脚数 - 3
耗散功率 - 250 mW
上升时间 - 30 ns
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 150 @500mA, 5V
额定功率(Max) - 415 mW
直流电流增益(hFE) - 350
下降时间 - 55 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 415 mW 415 mW
频率 - -
极性 - -
集电极最大允许电流 - -
长度 2.2 mm 2.2 mm
宽度 1.35 mm 1.35 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 UMT SOT-323-3
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅