IXTH75N15和IXTH88N15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH75N15 IXTH88N15 IXTT88N15

描述 TO-247AD N-CH 150V 75ATrans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

耗散功率 330W (Tc) 400W (Tc) 400 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

输入电容(Ciss) 5400pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 330W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 75A - -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 22 mΩ

漏源击穿电压 - - 150 V

上升时间 - - 33 ns

额定功率(Max) - - 400 W

下降时间 - - 18 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3

长度 - - 16.05 mm

宽度 - - 14 mm

高度 - - 5.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台