IS63LV1024L-12B和IS63LV1024L-12BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS63LV1024L-12B IS63LV1024L-12BLI

描述 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUTStandard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PBGA36, 8 X 10MM, LEAD FREE, MINI, BGA-36

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 36

封装 TFBGA BGA-36

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.45 V (max)

供电电流 - 140 mA

位数 - 8

存取时间 - 12 ns

内存容量 - 1000000 B

存取时间(Max) - 12 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 3.15V ~ 3.45V

封装 TFBGA BGA-36

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 - EAR99

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