IXTP2N80P和IXTU2N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP2N80P IXTU2N80P IXTY2N80P

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3Pin(3+Tab) TO-220MOSFET N-CH TO-251DPAK N-CH 800V 2A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 6 Ω 6 Ω

极性 - - N-CH

耗散功率 70 W 70 W 70 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) - - 2A

上升时间 35 ns 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns 28 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 2.38 mm 6.22 mm

高度 - 6.22 mm 2.38 mm

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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