对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -25 V, 7.9 ohm, -4.5 V, -1 VTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3Pin SOT-23 T/R
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V
额定电流 -120 mA -120 mA
额定功率 350 mW -
通道数 1 -
针脚数 3 -
漏源极电阻 7.9 Ω 13.0 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 350 mW 350mW (Ta)
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
漏源击穿电压 -25.0 V -
连续漏极电流(Ids) 120 mA 120 mA
上升时间 8 ns -
输入电容(Ciss) 11pF @10V(Vds) 11pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 350 mW -
下降时间 8 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta)
阈值电压 - -
输入电容 - -
长度 2.92 mm -
宽度 1.3 mm -
高度 0.93 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99