IXTA200N075T7和IXTH200N075T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA200N075T7 IXTH200N075T IXTP200N075T

描述 MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3Pin(3+Tab) TO-247TO-220 N-CH 75V 200A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-7 TO-247-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

极性 - - N-CH

耗散功率 430 W 430 W 430W (Tc)

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) - - 200A

输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源极电阻 5 mΩ 5 mΩ -

漏源击穿电压 75 V 75 V -

上升时间 57 ns 57 ns -

下降时间 52 ns 52 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

封装 TO-263-7 TO-247-3 TO-220-3

长度 10.2 mm 16.26 mm -

宽度 9.4 mm 5.3 mm -

高度 4.7 mm 21.46 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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