1N5242B-T和TC1N5242B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5242B-T TC1N5242B 1N5242B-TR

描述 DIODE ZENER 12V 500mW DO35DO-35 12V 0.5W(1/2W)VISHAY  1N5242B-TR  齐纳二极管, 12V, 500mW

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) TAK Cheong Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-204AH DO-35 DO-35-2

引脚数 2 - 2

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 12 V 12 V 12 V

额定电压(DC) 12.0 V - -

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率 500 mW - -

正向电压 1.1V @200mA - 1.1 V

测试电流 20 mA - 20 mA

正向电压(Max) 1.1V @200mA - 1.1V @200mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

针脚数 - - 2

热阻 - - 300K/W (RθJA)

正向电流 - - 200 mA

工作结温(Max) - - 175 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

封装 DO-204AH DO-35 DO-35-2

长度 - - 3.9 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - - 1.7 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 175℃

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