对比图
型号 MUN5231T1 PDTC123EU MUN5231T1G
描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORSNXP PDTC123EU 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 30 hFE偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-3
针脚数 - 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 202 mW 200 mW 0.31 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 30 8 @5mA, 10V
直流电流增益(hFE) - 30 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V
额定电流 100 mA - 100 mA
无卤素状态 - - Halogen Free
额定功率(Max) 202 mW - 202 mW
耗散功率(Max) 310 mW - 310 mW
最大电流放大倍数(hFE) 8 - -
长度 2.1 mm 2.2 mm -
宽度 1.24 mm 1.35 mm -
高度 0.85 mm 1 mm -
封装 SC-70-3 SOT-323 SC-70-3
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 - - EAR99