70V3379S4BCG和70V3379S4PRFG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3379S4BCG 70V3379S4PRFG 70V3379S5BFI8

描述 IC SRAM 576Kbit 4.2NS 256CABGA静态随机存取存储器 32K X 18 SYNCH DPRAMIC SRAM 576Kbit 5NS 208CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 128 208

封装 LBGA-256 TQFP-128 LFBGA-208

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 - 4.2 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

长度 17.0 mm 20 mm 15.0 mm

宽度 17.0 mm 14 mm 15.0 mm

封装 LBGA-256 TQFP-128 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 - 1.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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