BSP315PH6327和BSP315PL6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP315PH6327 BSP315PL6327 BSP315P

描述 60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET60V,-1.17A,P沟道功率MOSFETINFINEON  BSP315P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - PB free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 800 mΩ

极性 - - P-Channel

耗散功率 - - 1.8 W

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 1.17 A 1.17 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -1.17 A -

额定功率 - 1.8 W -

输入电容 - 160 pF -

栅电荷 - 7.80 nC -

输入电容(Ciss) - 160pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.8 W -

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