MUN5230T1和MUN5230T1G

对比图

型号 MUN5230T1 MUN5230T1G MMUN2230LT1

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorTRANS PREBIAS NPN 246mW SOT23-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SC-70-3 SC-70-3 -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 202 mW 0.31 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 3 3 @5mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) 3 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

额定功率(Max) - 202 mW -

耗散功率(Max) - 310 mW -

长度 2.1 mm - -

宽度 1.24 mm - -

高度 0.85 mm - -

封装 SC-70-3 SC-70-3 -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -