2SA1774T1G和S2SA1774G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1774T1G S2SA1774G 2SA1774T1

描述 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管PNP硅通用晶体管放大器 PNP Silicon General Purpose Amplifier TransistorPNP硅通用晶体管放大器 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

频率 140 MHz 140 MHz -

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.15 W 150 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) 560 560 -

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW -

长度 1.65 mm - -

宽度 0.9 mm - -

高度 0.8 mm - -

封装 SC-75-3 SC-75-3 SOT-416

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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