对比图
型号 IDH03G65C5 IDV02S60C IDH05S120
描述 thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，InfineonINFINEON IDV02S60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 2 A, 3.2 nC, TO-220FP的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 thinQ!TM SiC Schottky Diode
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 TVS二极管肖特基二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
正向电压 1.7V @3A 1.9V @2A 1.8V @5A
热阻 3.6℃/W (RθJC) 8.5℃/W (RθJC) 2℃/W (RθJC)
反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns
正向电流 3 A 2 A 5 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 31 A 11.5 A 29 A
正向电流(Max) 3 A - 5 A
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 42000 mW - 75000 mW
耗散功率 42 W - -
正向电压(Max) 2.1 V - -
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
长度 10.2 mm - -
宽度 4.5 mm - -
高度 15.95 mm - -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Each Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -