M93S56-WBN6G和M93S56-WBN6P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M93S56-WBN6G M93S56-WBN6P

描述 4k位, 2Kbit和1K位, 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection4k位, 2Kbit和1K位, 16位宽的MICROWIRE串行EEPROM的访问与块保护 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit 16-bit wide MICROWIRE Serial Access EEPROM with Block Protection

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 DIP DIP-8

电源电压 - 2.5V ~ 5.5V

封装 DIP DIP-8

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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