对比图
型号 IXFK360N10T IXFX360N10T
描述 TO-264 N-CH 100V 360AN沟道 100V 360A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 1250W (Tc) 1250W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 360A 360A
上升时间 100 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 33000pF @25V(Vds) 33000pF @25V(Vds)
下降时间 160 ns 160 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1250W (Tc)
额定功率(Max) 1250 W -
封装 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free