BD244B和BD540-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD244B BD540-S D45C11

描述 PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORSTO-220 PNP 40V 5ATRANS PNP 80V 4A TO-220

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美)

分类 电流滤波器件双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 - 40 @200mA, 1V

额定功率(Max) - - 60 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 60000 mW

极性 - PNP -

集电极最大允许电流 - 5A -

耗散功率 65000 mW - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 8.72 mm - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - 无铅

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