BZD27C12P和BZD27C12P-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C12P BZD27C12P-GS08

描述 TAIWAN SEMICONDUCTOR  BZD27C12P  单管二极管 齐纳, 12 V, 800 mW, SMD, 2 引脚, 175 °C齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 SMD DO-219AB

击穿电压 - 14.1 V

耗散功率 800 mW 800 mW

测试电流 - 50 mA

稳压值 12 V 12.05 V

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 800 mW

针脚数 2 -

长度 - 2.9 mm

宽度 - 1.9 mm

高度 - 0.98 mm

封装 SMD DO-219AB

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

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