对比图
型号 IXTA96P085T IXTP96P085T IXTA96P085TTRL
描述 TO-263AA P-CH 85V 96AIXTP 系列 单通道 P 沟道 85 V 13 mOhm 298 W 功率 MosFet - TO-220ABMOSFET P-CH 85V 96A TO-263
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 298 W 298 W 298W (Tc)
漏源极电压(Vds) 85 V 85 V 85 V
输入电容(Ciss) 13100pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 298W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc)
极性 P-CH P-CH -
连续漏极电流(Ids) 96A 96A -
上升时间 34 ns 34 ns -
额定功率(Max) - 298 W -
下降时间 22 ns 22 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定功率 298 W - -
通道数 1 - -
阈值电压 2 V - -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
宽度 9.65 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free