对比图
型号 IXFP180N10T2 IXTV200N10T IXTV200N10TS
描述 N沟道 100V 180ATrans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) PLUS 220PLUS220 N-CH 100V 200A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 TO-247-3 PLUS-220SMD
漏源极电阻 6 mΩ 5.5 mΩ -
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 480W (Tc) 550 W 550W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) 180A - 200A
上升时间 37 ns 31 ns -
输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 480 W 550 W -
下降时间 13 ns 34 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 480W (Tc) 550W (Tc) 550W (Tc)
通道数 - 1 -
封装 TO-220-3 TO-247-3 PLUS-220SMD
长度 - 11 mm -
宽度 - 4.7 mm -
高度 - 15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free