1N6509和JAN1N6475

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6509 JAN1N6475 1N5649A

描述 1N6509 系列 60 V 8 沟道 通孔 低电容 二极管阵列 - CDIP-1440.3V 1500W瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 14 2 2

封装 CDIP-14 Case G DO-13

钳位电压 - 63.5 V 64.8 V

最大反向电压(Vrrm) - 40.3V -

测试电流 - 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 - 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 - 43.7 V 44.7 V

击穿电压 - 43.7 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

电容 8 pF - -

反向恢复时间 20 ns - -

正向电流(Max) 0.3 A - -

耗散功率(Max) 600 mW - -

封装 CDIP-14 Case G DO-13

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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