AD648KNZ和OP282GSZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD648KNZ OP282GSZ AD648JNZ

描述 ANALOG DEVICES  AD648KNZ  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 1.8 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚ANALOG DEVICES  OP282GSZ  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 9 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚ANALOG DEVICES  AD648JNZ  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 1.8 V/µs, ± 4.5V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

供电电流 340 µA 210 µA 340 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 76 dB 70 dB 76 dB

带宽 1 MHz 4 MHz 1 MHz

转换速率 1.80 V/μs 9.00 V/μs 1.80 V/μs

增益频宽积 1 MHz 4 MHz 1 MHz

输入阻抗 3.00 TΩ 5.00 GΩ 3.00 TΩ

输入补偿电压 300 µV 200 µV 750 µV

输入偏置电流 3 pA 3 pA 5 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 4 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 76 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - 18 V -

电源电压(DC) 15.0 V - 15.0 V

工作电压 - - 4.5V ~ 18V

耗散功率 0.5 W - 500 mW

输入电容 3.00 pF - 3.00 pF

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

增益 1.00 dB - -

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

长度 9.27 mm - 9.27 mm

宽度 7.24 mm - 7.24 mm

高度 3.43 mm - 3.43 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 90℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 No No Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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