对比图
型号 BSC22DN20NS3GATMA1 BUZ31H3046XKSA1 BUZ73L
描述 INFINEON BSC22DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 VInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 8 3 3
封装 TDSON-8 TO-262-3 TO-220-3
额定功率 34 W 95 W -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.194 Ω 200 mΩ 400 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 34 W 95 W 40 W
阈值电压 3 V - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 7A 14.5A 7.00 A
上升时间 4 ns 50 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 320pF @100V(Vds) 840pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds)
下降时间 3 ns 60 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 34 W 95W (Tc) 40W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 200 V 200 V
额定电压(DC) - - 200 V
额定电流 - - 7.00 A
输入电容 - - 840 pF
长度 5.35 mm 10.36 mm 10 mm
宽度 6.35 mm 4.52 mm 4.4 mm
高度 1.1 mm 9.45 mm 15.65 mm
封装 TDSON-8 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -