8ETH06和STTH8R06DIRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 8ETH06 STTH8R06DIRG MUR860G

描述 Diode Switching 600V 8A 2Pin(2+Tab) TO-220ACSTMICROELECTRONICS  STTH8R06DIRG  快速/超快二极管, 单, 600 V, 8 A, 2.9 V, 45 ns, 80 AON SEMICONDUCTOR  MUR860G  快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 1.5 V, 50 ns, 100 A

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

正向电压 2.4 V 2.9 V 1.5 V

反向恢复时间 25 ns 45 ns 60 ns

正向电流(Max) 8 A 8 A 8 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 8.00 A 8.00 A

输出电流 - ≤8.00 A ≤8.00 A

极性 - Standard Standard

热阻 - 3.8 ℃/W 2℃/W (RθJC)

正向电流 - 8 A 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 80 A 100 A

正向电压(Max) - 2.9V @8A 1.5 V

工作结温 - 175℃ (Max) -

负载电流 - - 8 A

工作结温(Max) - - 175 ℃

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

长度 - 10.4 mm 10.29 mm

宽度 - 4.6 mm 4.82 mm

高度 - 9.15 mm 9.27 mm

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 - Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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