NSBC114YPDXV6T1G和PEMD4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBC114YPDXV6T1G PEMD4 NSBC114YPDXV6T5G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NSBC114YPDXV6T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-563NPN / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的, R2 =开放 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = open互补偏置电阻晶体管 Complementary Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN, PNP NPN+PNP NPN+PNP

耗散功率 0.5 W - 357 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6

长度 - - 1.6 mm

宽度 - - 1.2 mm

高度 - - 0.55 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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