FDPF51N25和FDPF51N25YDTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDPF51N25 FDPF51N25YDTU

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF51N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 250 V, 60 mohm, 10 V, 5 VN沟道 250V 51A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

安装方式 Through Hole -

耗散功率 117 W 38 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V

上升时间 465 ns 465 ns

输入电容(Ciss) 3410pF @25V(Vds) 3410pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38 W 38 W

下降时间 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) 38000 mW

额定电压(DC) 250 V -

额定电流 28.0 A -

额定功率 38 W -

通道数 1 -

针脚数 3 -

漏源极电阻 60 mΩ -

极性 N-Channel -

阈值电压 5 V -

漏源击穿电压 250 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 51.0 A -

工作结温(Max) 150 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.36 mm -

宽度 4.9 mm -

高度 16.07 mm -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -

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