IS42S16160D-6BLI和IS42S16160G-6BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16160D-6BLI IS42S16160G-6BLI MT48LC16M16A2FG-75:D

描述 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 Ball BGA (8mmx13mm) RoHS, ITSynchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.80 MMM, PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-54Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 14MM, VFBGA-54

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 BGA-54 VFBGA-54

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

工作电压 - - 3.30 V

供电电流 180 mA 160 mA 135 mA

位数 - 16 16

存取时间(Max) - 5.4 ns 6ns, 5.4ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3.3 V

存取时间 6 ns 5.4 ns -

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 TFBGA-54 BGA-54 VFBGA-54

长度 13 mm - -

宽度 8 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 3A991

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