对比图
型号 BLY92A MS1337 2N5642
描述 RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPNTrans RF BJT NPN 18V 8A 4Pin Style M113V(ceo): 35V; V(cb): 65V; V(eb): 4V; 3A; 30W; NPN silicon RF power transistor
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Chassis -
引脚数 - 4 -
封装 - M113 -
耗散功率 - 70000 mW -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 70000 mW -
高度 - 7.11 mm -
封装 - M113 -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -