NVMFD5877NLT1G和NVMFD5877NLWFT1G

对比图

型号 NVMFD5877NLT1G NVMFD5877NLWFT1G NVMFD5877NLT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NVMFD5877NLT1G  Dual MOSFET, Dual N Channel, 17 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V 新60 V 39 M +， 17 A，双娜????通道，逻辑电平，双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual N−Channel, Logic Level, Dual SO8FL17A,60V,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

通道数 - 2 2

极性 Dual N-Channel - N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17A - 17A

输入电容(Ciss) 540pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.2 W 3.2 W 3.2 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 23 W 3200 mW 23 W

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.031 Ω 39 mΩ -

耗散功率 23 W - -

阈值电压 3 V - -

漏源击穿电压 - 60 V -

长度 6.1 mm - 6.1 mm

宽度 5.1 mm - 5.1 mm

高度 1.05 mm - 1.05 mm

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -