199D685X9025C1V1E3和199D685X9025C2A1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D685X9025C1V1E3 199D685X9025C2A1E3 199D685X9020C2V1E3

描述 199D 系列 6.8 uF ±10 % 25 V 径向 固体电解质钽电容CAP TANT 6.8uF 25V 10% RADIALCap Tant Solid 6.8uF 20V 10% (5.5 X 9.14mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - -

额定电压(DC) 25.0 V - -

电容 6.8 µF 6.80 µF 6.8 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定电压 25 V 25 V 20 V

高度 9.14 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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