SI2302ADS-T1和SI2302DS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI2302ADS-T1 SI2302DS SI2302CDS-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3N-channel enhancement mode field-effect transistorTRANSISTOR 2600mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Philips (飞利浦) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23-3 - SOT-23-3

漏源极电阻 - - 57 mΩ

耗散功率 700mW (Ta) - 710 mW

阈值电压 - - 850 mV

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

上升时间 - - 7 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) 700mW (Ta) - 710mW (Ta)

输入电容(Ciss) 300pF @10V(Vds) - -

封装 SOT-23-3 - SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台