对比图
型号 IRFZ34NSTRR IRFZ34NSTRRPBF
描述 D2PAK N-CH 55V 29AD2PAK N-CH 55V 29A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3
额定功率 - 68 W
通道数 - 1
漏源极电阻 - 40 mΩ
极性 N-CH N-CH
耗散功率 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8 W
阈值电压 - 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V
连续漏极电流(Ids) 29A 29A
上升时间 49 ns 49 ns
反向恢复时间 - 57 ns
正向电压(Max) - 1.6 V
输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
工作结温 - -55℃ ~ 175℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
长度 - 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.3 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅