TIP41CG和TIP41CTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP41CG TIP41CTU

描述 NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz 3 MHz

针脚数 3 3

耗散功率 65 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @3A, 4V 15 @3A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W

直流电流增益(hFE) 3 15

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 65 W

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 6.00 A -

极性 NPN -

增益频宽积 3 MHz -

热阻 1.67℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 6A -

最大电流放大倍数(hFE) - -

长度 10.28 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 4.83 mm

高度 15.75 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -

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