2SK2520-01MR和IRF630FI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK2520-01MR IRF630FI STP10NB20FP

描述 TO-220F15 N-CH 200V 10AN沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

封装 TO-220 - TO-220

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V - 200 V

连续漏极电流(Ids) 10A - 6A

封装 TO-220 - TO-220

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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