IRGP30B120KD-E和IXDH30N120D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGP30B120KD-E IXDH30N120D1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 60A 3Pin (3+Tab) TO-247ADIXDH 系列 1200 Vce 60 A 100 ns t(on) 高压 IGBT - TO-247

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-247-3 TO-3-3

额定功率 - 300 W

耗散功率 - 300000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V

反向恢复时间 - 40 ns

额定功率(Max) 300 W 300 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300000 mW

额定电压(DC) 1.20 kV -

额定电流 60.0 A -

产品系列 IRGP30B120KD-E -

上升时间 25.0 ns -

封装 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bag Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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