FDMS2572和FDS2070N7

对比图

型号 FDMS2572 FDS2070N7 IRFH5215TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS2572  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V150V N沟道PowerTrench MOSFET的 150V N-Channel PowerTrench MOSFETINFINEON  IRFH5215TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 5A, 8-PQFN

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-56-8 SOIC-8 VQFN-8

额定功率 - - 3.6 W

通道数 1 - 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.036 Ω 78.0 mΩ 0.0455 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 78 W 3W (Ta) 3.6 W

产品系列 - - IRFH5215

阈值电压 3 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 27.0 A 4.10 A 5A

上升时间 8 ns 6.00 ns 6.3 ns

输入电容(Ciss) 2610pF @75V(Vds) 1884pF @75V(Vds) 1350pF @50V(Vds)

下降时间 31 ns - 2.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 78 W 3W (Ta) 3.6W (Ta), 104W (Tc)

额定电压(DC) 150 V 150 V -

额定电流 4.50 A 4.10 A -

输入电容 1.96 nF - -

栅电荷 31.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定功率(Max) 2.5 W 1.8 W -

长度 5 mm - 6 mm

宽度 6 mm - 5 mm

高度 0.75 mm - 0.83 mm

封装 Power-56-8 SOIC-8 VQFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -