M36DR432A120ZA6和M36DR432A120ZA6T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M36DR432A120ZA6 M36DR432A120ZA6T

描述 Memory Circuit, 2MX16, PBGA66, 0.8MM PITCH, STACK, LFBGA-6632兆位的2Mb X16 ,双行,页闪存和4兆位256K x16的SRAM ,多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product

数据手册 --

制造商 Numonyx ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 LFBGA LFBGA

安装方式 - Surface Mount

封装 LFBGA LFBGA

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

存取时间 - 120 ns

内存容量 - 32000000 B

RoHS标准 - Non-Compliant

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