BCR148S和PUMH2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR148S PUMH2 PUMH2,115

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNXP  PUMH2  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363NXP  PUMH2,115  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

针脚数 - 6 6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 80 80 @5mA, 5V

直流电流增益(hFE) - 80 80

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

额定功率(Max) - - 300 mW

耗散功率(Max) - - 300 mW

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-363 SOT-363 SOT-363-6

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life Unknown Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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