BCP56-10T1G和BCP56T3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-10T1G BCP56T3G BCP5610E6327HTSA1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCP56-10T1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFEON SEMICONDUCTOR  BCP56T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新SOT-223 NPN 80V 1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 130 MHz 130 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

针脚数 4 4 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 2 W

直流电流增益(hFE) 63 25 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW 1.5 W -

额定功率 1.5 W - -

长度 6.7 mm 6.5 mm -

宽度 3.7 mm 3.5 mm -

高度 1.65 mm 1.63 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台