对比图
型号 IRF640PBF NTE2388 NTE2374
描述 VISHAY IRF640PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 180 mohm, 10 V, 4 VNTE ELECTRONICS NTE2388 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220NTE ELECTRONICS NTE2374 芯片, MOSFET增强型高速开关, 125W, 18A
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics NTE Electronics
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220 TO-220 TO-220
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 18.0 A - -
额定功率 125 W - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.18 Ω 0.18 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 125 W
阈值电压 4 V 2 V 4 V
输入电容 1300pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200V (min)
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18.0 A
上升时间 51 ns - 51 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) - 1300pF @25V(Vds)
下降时间 36 ns - 36 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125 W 125000 mW 125000 mW
通道数 - - 1
长度 10.41 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 9.01 mm - -
封装 TO-220 TO-220 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube - -
产品生命周期 - Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - 85412900951 85412900951